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NAND01GW3B2CN6E 参数 Datasheet PDF下载

NAND01GW3B2CN6E图片预览
型号: NAND01GW3B2CN6E
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内容描述: 1千兆位, 2千兆位, 2112字节/ 1056字的页面, 1.8 / 3V , NAND快闪存储器 [1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 60 页 / 1343 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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NAND01G-B2B
NAND02G-B2C
1千兆位,2个千兆位,
2112字节/ 1056字的页面, 1.8 / 3V , NAND快闪存储器
特点
高密度NAND闪存
- 最多2个千兆位存储器阵列
- 成本效益的解决方案,海量存储
应用
NAND接口
- x8或x16总线宽度
- 复用的地址/数据
- 适用于所有密度引脚兼容
电源电压: 1.8 V / 3.0 V
PAGE SIZE
- X8设备: ( 2048 + 64备用)字节
- X16设备: ( 1024 + 32备用)字
BLOCK SIZE
- X8装置: ( 128 K + 4K的备用)字节
- X16设备: ( 64 K + 2 k备用)字样
页面读取/编程
- 随机访问: 25 μs(最大值)
- 顺序存取: 30纳秒(分钟)
- 页编程时间: 200微秒(典型值)
复制回编程模式
缓存程序和缓存读取模式
快速的块擦除: 2毫秒(典型值)
状态寄存器
电子签名
芯片使能“不在乎”
TSOP48 12 ×20mm的
FBGA
VFBGA63 9.5 ×12 ×1毫米
VFBGA63 9 ×11 ×1毫米
序列号选项
数据保护
- 硬件锁块
- 硬件编程/擦除过程中被锁定
电源转换
数据完整性
- 100 000编程/擦除每块循环
(带ECC )
- 数据保存10年
ECOPACK
®
套餐
开发工具
- 纠错码模特
- 坏块管理和损耗均衡
算法
- 硬件仿真模型
表1中。
设备简介
参考
NAND01G-B2B
产品型号
NAND01GR3B2B , NAND01GW3B2B
NAND01GR4B2B
,
NAND01GW4B2B
(1)
NAND02GR3B2C , NAND02GW3B2C
NAND02G-B2C
NAND02GR4B2C , NAND02GW4B2C
(1)
1.只适用于MCP产品X16组织。
2008年4月
第5版
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