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NAND04GW3B2DN6F 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NAND04GW3B2DN6F
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内容描述: 4千兆, 8千兆, 2112字节/ 1056字的页面多平面架构, 1.8 V和3 V , NAND闪存 [4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 69 页 / 1707 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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NAND04G - B2D , NAND08G - BXC
4千兆, 8千兆, 2112字节/ 1056字的页面
多平面架构, 1.8 V和3 V , NAND闪存
初步数据
特点
高密度NAND闪存
- 多达8个千兆存储阵列
- 大容量存储的成本效益的解决方案
应用
NAND接口
- X8或16X总线宽度
- 复用的地址/数据
电源电压: 1.8 V或3.0 V器件
PAGE SIZE
- X8设备: ( 2048 + 64备用)字节
- X16设备: ( 1024 + 32备用)字
BLOCK SIZE
- X8设备: ( 128K + 4K的备用)字节
- X16设备: ( 64K + 2 k备用)字样
多平面架构
- 阵列分割成两个独立的平面
- 编程/擦除操作即可
同时在两个平面进行
页面读取/编程
- 随机访问: 25 μs(最大值)
- 顺序存取: 25纳秒(分钟)
- 页编程时间: 200微秒(典型值)
- - 多页编程时间( 2页) :
在200μs(典型值)
复制回程序自动错误
检测码( EDC)的
缓存读取模式
快速块擦除
- 块擦除时间: 1.5毫秒(典型值)
- 多块擦除时间( 2块) :
1.5毫秒(典型值)
状态寄存器
电子签名
芯片使能“不在乎”
序列号选项
NAND08G-BxC
TSOP48 12 ×20毫米( N)
LGA
LGA52 12 ×17毫米( ZL )
r
数据保护:
- 硬件编程/擦除过程中被禁用
电源转换
- 非易失性保护选项
ONFI 1.0标准命令集
数据完整性
- 100 000编程/擦除周期(带ECC
(纠错码) )
- 数据保存10年
ECOPACK
®
套餐
设备简介
产品型号
NAND04GR3B2D
表1中。
参考
NAND04G-B2D
NAND04GW3B2D
NAND04GR4B2D
(1)
NAND04GW4B2D
(1)
NAND08GR3B2C,
NAND08GW3B2C
NAND08GR4B2C
(1)
NAND08GW4B2C
(1)
NAND08GR3B4C
NAND08GW3B4C
1.只适用于MCP产品X16组织。
2007年12月
REV 3
1/69
1
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。内容如有
更改,恕不另行通知。