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NAND08GW3B2A 参数 Datasheet PDF下载

NAND08GW3B2A图片预览
型号: NAND08GW3B2A
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内容描述: 4千兆, 8千兆, 2112字节/ 1056字第3V , NAND闪存 [4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 58 页 / 1122 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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NAND04GW3B2B
NAND08GW3B2A
4千兆, 8千兆, 2112字节/ 1056字的页面
3V , NAND闪存
特点
高密度NAND闪存
- 多达8个千兆存储阵列
- 高达256 Mbit的备用区
- 大容量存储的成本效益的解决方案
应用
NAND接口
- X8总线宽度
- 复用的地址/数据
电源电压
- 3.0V器件: V
DD
= 2.7〜 3.6V
PAGE SIZE
- ( 2048 + 64备用)字节
BLOCK SIZE
- ( 128K + 4K备用)字节
页面读取/编程
- 随机存取:在25μs (最大值)
- 顺序存取:为30ns (分钟)
- 页编程时间:为200μs (典型值)
复制回编程模式
- 快速页复印,无需外部缓冲
缓存程序和缓存读取模式
- 内部缓存寄存器来改善
编程和读取吞吐量
快速块擦除
- 块擦除时间: 2毫秒(典型值)
状态寄存器
电子签名
芯片使能“不在乎”
- 与单片机接口简单
序列号选项
TSOP48 12× 20毫米
数据保护
- 硬件和软件块锁定
- 硬件编程/擦除过程中被锁定
电源转换
数据完整性
- 100,000编程/擦除周期(带ECC )
- 数据保存10年
ECOPACK
®
开发工具
- 纠错码软件
硬件模型
- 坏块管理和损耗
均衡算法
- 文件系统OS本机参考软件
- 硬件仿真模型
2007年12月
第5版
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