NAND08GW3C2B
NAND16GW3C4B
8或16个千兆, 2112字节的页,
3 V电源供电,多层次,多平面, NAND闪存
目标特定网络阳离子
特点
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高密度的多层单元( MLC )闪存
内存
- 最多16个千兆存储阵列
- 高达512 Mbit的备用区
- 大容量存储的成本效益的解决方案
应用
NAND接口
- X8总线宽度
- 复用的地址/数据
电源电压: V
DD
= 2.7〜 3.6 V
页面大小: (2048 + 64备用)字节
块大小: ( 256K + 8K备用)字节
多平面架构
- 阵列分割成两个独立的平面
- 编程/擦除操作即可
同时在两个平面进行
存储器单元阵列:
( 2 K + 64 )字节×128页X 4096块
页面读取/编程
- 随机访问: 60 μs(最大值)
- 顺序存取: 25纳秒(分钟)
- 页编程操作时间: 800微秒(典型值)
多页编程时间( 2页) : 800 μs(典型值)
复制回收计划
- 快速的网页副本
快速块擦除
- 块擦除时间: 2.5毫秒(典型值)
多块擦除时间( 2块) : 2.5毫秒(典型值)
状态寄存器
电子签名
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TSOP48 12 ×20毫米( N)
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LGA52 12 ×17毫米( N)
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序列号选项
芯片使能“不在乎”
数据保护
- 硬件编程/擦除过程中被锁定
电源转换
开发工具
- 纠错码模特
- 坏块管理和损耗均衡
算法
- 硬件仿真模型
数据完整性
- 10,000编程/擦除周期(带ECC )
- 数据保存10年
ECOPACK
®
可用的软件包
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2008年3月
REV 2
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这是要发展就预见到了新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。