NAND512R3A2C NAND512R4A2C
NAND512W3A2C NAND512W4A2C
512兆， 528字节/ 264字的页面，
1.8 V / 3 V ， NAND闪存
特点
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高密度NAND闪存
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512兆位存储阵列
符合成本效益的解决方案，为大众
存储应用
×8或×16总线宽度
复用的地址/数据
FBGA
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NAND接口
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TSOP48 12 ×20mm的
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电源电压： 1.8 V ， 3.0 V
PAGE SIZE
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×8的设备： （ 512 + 16备用）字节
×16设备： （ 256 + 8备用）字
×8的设备： （ 16 K + 512备用）字节
×16设备： （ 8 K + 256备用）字
随机存取：
12微秒（ 3 V ） / 15微秒（ 1.8 V ） （最大）
顺序存取：
30纳秒（ 3 V ） / 50纳秒（ 1.8 V ） （分钟）
页编程时间： 200微秒（典型值）
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BLOCK SIZE
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VFBGA55 8×10 ×1毫米
VFBGA63 9 ×11 ×1毫米
硬件数据保护
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电源在编程/擦除锁定
TRANSITIONS
100,000编程/擦除周期（以
ECC ）
10年的数据保留
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页面读取/编程
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数据完整性
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复制回编程模式
快速的块擦除： 2毫秒（典型值）
状态寄存器
电子签名
芯片使能“不在乎”
序列号选项
设备简介
参考
ECOPACK
®
套餐
开发工具
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纠错码模特
坏块管理和损耗
均衡算法
硬件仿真模型
表1中。
产品型号
NAND512R3A2C
NAND512R4A2C
(1)
NAND512-A2C
NAND512W3A2C
NAND512W4A2C
1.只适用于MCP x16组织。
2008年1月
REV 2
1/51
1
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
