Numonyx® Omneo ™ P8P数据表
1.0
1.1
产品说明
介绍
Numonyx® Omneo ™相变存储器的嵌入式应用提供了所有的
与其他类型的存储器在一个新的，高度可扩展和灵活的最好的属性
技术。
相变存储器（PCM）是一种新型的非易失性半导体存储器的
通过在硫族化合物可逆的结构相变存储信息
材料。该材料表现出在材料性质的变化，电气和
光，当来自非晶质（无序）改变为多晶
（定期订购）状态。在相变存储器的情况下，信息被存储
通过在电阻变化时经历的硫属化物材料的经验
相位变化。该材料还经历相变后的光学特性
变化，已成功地掌握用于电流的特性
可重写的光学存储装置，如可重写CD和DVD。
在PCM存储元件包括硫族化物由一个电阻性接触的薄膜的
加热元件。在PCM中，相变诱发在存储单元中由高度
局部焦耳热所引起的感应电流在该材料的交界处。在一
写操作时，一个小体积的硫属化物材料制成，以改变相位。
该相变是可逆的过程，并且由幅度调制
注入电流，施加电压，加热脉冲的持续时间。
PCM结合了传统的浮置栅极闪存的优点，既NOR型和NAND-
类型，具有一定的的RAM和EEPROM的关键属性。像NOR闪存和RAM
技术的PCM提供快速随机存取时间。像NAND闪存， PCM有能力
写适度快。而像RAM和EEPROM ， PCM支持位可变写
（覆盖） 。与Flash不同，没有单独的擦除步骤需要从改变信息
0到1和1到0与RAM不同，但是，该技术是非易失性的数据
保持媲美NOR闪存。然而，在当前的时间， PCM技术出现
有一个写周期耐久性比的NAND或NOR闪存的更好，但小于
该内存。
不像其他建议的替代回忆， PCM技术采用传统的
CMOS工艺，增加了一些附加的层，以形成所述存储器存储
元素。总体而言，用于使基本存储器的制造工艺的PCM是少
比NAND，NOR或DRAM的络合物。
从历史上看，系统都采用了许多不同类型的存储器，以满足不同
在设计中需要。有些系统可能包括引导存储器，配置
存储器，数据存储器，高速执行存储器和动态工作
内存。今天的许多设计的需求需要得到更好的性能
存储器子系统，并在整体元件数量的减少。 PCM提供
许多不同种类的存储器中的典型设计中找到的属性，使
的机会，以巩固或消除不同类型的存储器。
与高速快速随机访问相结合，位在一个可变的写
非易失性存储器是仅提供复杂的，低密度的技术能力
如并行EEPROM或电池供电的RAM 。在PCM的功能集的目的是
方便易行的评价和采用的系统，并能巩固
存储功能整合到单一设备中。在某些情况下， PCM可以启用新的用途或
新的解决方案，存在的问题，其方式是更高效，更高
性能和/或更高的成本效益。
数据表
6
2010年7月
316144-07
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
