Numonyx® Omneo ™ PCM P8P
128兆位并行相变存储器
数据表
产品特点
高性能的读/写
- 115 ns的最初的读访问
- 135 ns的最初的读访问
- 25 ns的8个字的异步页读
架构
- 非对称封闭架构
- 四个32 - K字节的参数块：顶部或
底部结构
- 128 KB的主要模块
- 串行外设接口（SPI ），以使
低引脚数板载编程
相变存储器（ PCM ）
- 硫系相变存储器
元素
- 位可变写操作
电压和功率
— V
CC
（核心）电压： 2.7 V - 3.6 V
— V
CCQ
（ I / O）电压： 1.7 V - 3.6 V
- 待机电流： 80 μA （典型值）
质量和可靠性
- 超过百万的写入周期
- 90纳米PCM技术
温度
- 工作温度-30 ° C到+85°C
（ 135ns最初的读访问）
- 工作温度0 ° C至+ 70°C
（ 115ns最初的读访问）
安全
- 一次性可编程寄存器：
• 64唯一的工厂的设备标识符位
• 2112的用户可编程OTP位
- 可选择OTP空间在主阵：
•四个预定义的32 - K字节的块（顶部或
底部结构）
•三个毗邻主提供块
引导代码或其他安全信息
- 绝对的写保护： V
PP
= V
SS
- 电源转换擦除/编程锁定
- 个人零延迟块锁定
- 单个块锁闭
简化软件管理
- 无块擦除或清理要求
- 在两个方向上的位“玩弄” （ ： 0,0 ： 1 ）
- 35 μs（典型值）计划暂停
- 35 μs（典型值）擦除暂停
- 恒忆™闪存数据集成优化
- 可扩展指令集和扩展
命令集兼容
- 通用闪存接口能够
密度和包装
- 128兆位密度
- 56引脚TSOP封装
- 64球，恒忆易BGA封装
316144-07
2010年7月
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
