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PC28F128P30T85 参数 Datasheet PDF下载

PC28F128P30T85图片预览
型号: PC28F128P30T85
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内容描述: 恒忆的StrataFlash嵌入式存储器 [Numonyx StrataFlash Embedded Memory]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 99 页 / 1401 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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P30
11.0
编程操作
该器件支持三种编程方式:字编程( 40H / 10H ) ,
缓冲编程( E8H , D0H )和缓冲增强工厂编程( 80H ,
D0H ) 。看
有关各种编程细节
命令发出到设备。以下各节描述器件编程
细节。
成功的编程需要被寻址的块被解锁。如果该块是
锁定, WP #应被撤消和块之前必须解锁
试图编程块。试图设定一个锁定块引起
程序错误( SR [4]和SR [1]组),并终止操作。看
有关锁定和解锁块的详细信息。
产品名称分割为多个8 - Mbit的编程地区。看
完全解决。执行到位
这样的代码和数据是独立的( XIP )的应用程序必须分区的存储器
编程地区。 XIP直接从闪存执行代码。每
编程地区应该只包含代码或数据,但不能同时使用。以下
术语定义代码和数据之间的区别。系统设计必须使用这些
定义时,分隔的代码和数据, P30的设备。
•代码:执行代码跑出了闪存设备在连续的基础上,在
系统。
•数据:信息定期编入闪存设备并回读
(例如,代码执行阴影和在RAM中,画面中执行,日志文件等)。
11.1
字编程
字编程操作都通过写入Word程序设置启动
命令到设备(见
这是
接着是第二写入到设备的地址和数据进行编程。
阅读时,该器件输出状态寄存器的数据。看
V
PP
必须高于V
PPLK
,并在规定的V
PPL
MIN /
最大值。
在编程过程中,写状态机( WSM )的执行顺序
内部定时的事件进行编程所需的数据位在被寻址的位置,
并验证该位被充分地进行编程。编程闪存
阵的变化“1”到“0” 。被零可改为存储器阵列的位
只有那些通过擦除块(见
状态寄存器可以通过阅读来检查编程进度和错误
在任何地址。该器件保持在读状态寄存器的状态,直到另一个
命令被写入到设备。
状态寄存器位SR [ 7 ]表示编程状态时的顺序
执行。可在编程过程中可以向设备发出命令
节目暂停,读状态寄存器,读设备标识符, CFI查询和读取
数组(它返回未知的数据) 。
当编程完成后,状态寄存器的位SR [ 4 ] (设置)表示
编程失败。如果SR [ 3 ]时,该WSM不能执行的话
编程操作,因为V
PP
是其可接受的范围之外。如果SR [ 1 ]时,
字编程操作试图编程锁定块,造成
中止操作。
数据表
56
2007年11月
订单号: 306666-11