恒忆™嵌入式闪存
( J3 V 。 D)
32,64 ,128,和256兆比特
数据表
产品特点
架构
- 高密度对称的128字节块
- 256兆位( 256块)
- 128兆位( 128块)
- 64兆位( 64块)
- 32兆位( 32块)
性能
- 75 ns的初始访问速度( 128/64/32
-Mbit密度)
- 95 ns的初始访问(仅256兆位)的速度
- 25 ns的8字和4字异步
页面模式读取
• 32字节的写缓冲区
- 每字节有效的编程时间为4μs
系统电压和电源
— V
CC
= 2.7 V至3.6 V
— V
CCQ
= 2.7 V至3.6 V
包装
- 56引脚TSOP封装( 32 , 64 , 128兆
只)
- 64球,恒忆易BGA封装( 32 ,
42 , 128和256兆比特)
安全
- 代码增强的安全选项
保护
• 128位保护寄存器
- 64位的唯一设备标识符
- 64位用户可编程OTP细胞
•绝对保护与V
笔
= GND
- 个别块锁定
- 块擦除/编程电源时锁定
TRANSITIONS
软件
- 编程和擦除暂停支持
- 闪存数据集成(FDI ) ,通用闪存
接口( CFI )兼容
质量和可靠性
- 工作温度:
-40 ° C至+85°C
- 每块100K最小擦除周期
- 0.13微米ETOX ™第八流程
308551-05
2007年11月