恒忆™嵌入式闪存（ J3 V 。 D）
以下各节描述每个编程方法。
9.3.1
单字/字节编程
阵列编程时，首先发出单字/字节编程执行
命令。这之后是在所希望的数组地址写入所希望的数据。该
阅读器模式将自动更改为读状态寄存器模式，
保持有效，直到下一次读取-mode命令发出。
在编程过程中， STS和状态寄存器指示忙状态（ SR7 = 0 ） 。
完成后， STS和状态寄存器指示就绪状态（ SR7 = 1 ） 。该
状态寄存器，应检查是否有错误（ SR4 ） ，然后清除。
注意：
发出读阵列命令的设备，同时正在积极进行编程的原因
随后从设备到输出无效数据读取。有效的数组的数据是唯一的输出
之后的编程操作已完成。
待机功率电平不能被实现，直到在编程操作已完成。
还有，断言RP ＃中止该编程操作，并且在所述阵列的内容
解决的位置是不确定的。被寻址的块应该被擦除，并且
数据重新编程。如果一个单字/字节的程序试图当
对应的块锁定位被置位， SR1和SR 4将被设置。
9.3.2
缓冲编程
缓冲编程操作同时进行多个节目的话到闪存
存储器阵列，显著减少有效字写入时间。用户数据是第一
写入到写入缓冲器，然后被编程到在缓冲器大小的快闪存储器阵列
增量。
包含buffered-的流程图
编程操作。
注意：
最佳的性能和功耗只对准开始实现
在32字边界地址（即A [ 4 ： 0 ] = 0b00000 ） 。跨越32字边界
缓冲的编程操作期间可导致编程时间加倍。
要执行缓冲编程操作，第一个问题的缓冲程序设置
指令在所需的起始地址。该装置的读取模式/寻址
分区自动更改为读状态寄存器模式。
投票SR7决定写缓存的可用性（ 0 =不可， 1 =可用） 。如果
写缓冲器不可用，重新发出setup命令，检查SR7 ;重复，直到
SR7 = 1 。
接下来，在发出所需的起始地址的字数。字数代表
被写入到写入缓冲器，减去一个字的总数。这个值可以
范围从00H （一个字） ，最高1Fh的（32字） 。超过允许
范围将导致中止。
下面的字计数时，写缓冲器填充有用户数据。随后巴士─
写周期提供地址和数据，直到字数。所有的用户数据的地址
<starting address>和<starting地址+字count>之间必须说谎，否则
在WSM继续运行正常，但是，用户可以advertently变更内容
意想不到的地址位置。
注意：
用户数据被编程到的地址的闪存阵列填充时已发行
写缓冲器。
毕竟用户数据被写入到写入缓冲器中，发出的确认指令。如果一个
命令比的确认指令等发到该设备中，命令
出现顺序错误并中止该操作。
2007年11月
308551-05
数据表
39
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
