恒忆™的StrataFlash
®
细胞内存
(M18)
数据表
产品特点
高性能读取，编程和擦除
- 96 ns的最初的读访问
- 108 MHz的零等待状态同步
突发读取： 7纳秒时钟到数据输出
- 133 MHz的零等待状态同步
突发读取： 5.5 ns的时钟到数据输出
- 8,16和连续字
同步突发读取
- 可编程等待配置
- 用户可配置的输出驱动器
阻抗
- 缓冲编程：
2.0微秒/字（典型值） ， 512 - Mbit的65纳米;
块擦除：每块0.9秒（典型值）
- 20 μs（典型值）编程/擦除暂停
架构
- 16位宽的数据总线
- 多级单元技术
- 对称阻止阵列架构
- 256字节擦除块
- 1千兆位设备： 8个128 - Mbit的分区
- 512 - Mbit的器件： 8个64 - Mbit的分区
- 256 - Mbit的器件： 8个32 - Mbit的分区。
- 128 - Mbit的器件：八16 - Mbit的分区。
- 同时读 - 编程和读取操作，而擦除
- 针对分区/设备状态状态寄存器
- 空白检查功能
质量和可靠性
- 扩展的温度：-30 ° C到+85°C
- 每块最少100,000次擦除周期
- ETOX ™ X工艺技术（ 65纳米）
- ETOX ™ IX工艺技术（ 90纳米）
动力
- 核心电压： 1.7 V - 2.0 V
- I / O电压： 1.7 V - 2.0 V
- 待机电流： 60 μA （典型值）的512 - Mbit的，
65纳米
- 深度掉电模式： 2 μA （典型值）
- 自动节能模式
- 16字同步突发读取电流：
23毫安（典型值） @ 108 MHz的; 24毫安（典型值） @
133兆赫
软件
- 恒忆™闪存数据集成
（恒忆™ FDI）优化
- 基本命令集和扩展
命令集兼容
- 通用闪存接口
安全
- OTP寄存器：
64个不同的预编程的位
2112的用户可编程位
- 绝对的写保护与V
PP
= GND
- 电源转换擦除/编程锁定
- 个人零延迟块锁定
- 单个块锁闭
密度和包装
- 密度： 128点，256 ，和512 - Mb和1-
千兆位
- 地址数据复用和非
复用接口
- x16D （ 105球）的Flash SCSP
- x16C （ 107球）的Flash SCSP
- 0.8毫米间距的无铅焊料球
订单号： 309823-11
2008年4月
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
