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RD38F2040W0YBQ0 参数 Datasheet PDF下载

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型号: RD38F2040W0YBQ0
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内容描述: 无线闪存( W18 / W30 SCSP ) [Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP)]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路静态存储器无线
文件页数/大小: 46 页 / 653 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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恒忆™无线闪存
( W18 / W30 SCSP )
32WQ和64WQ家庭与异步RAM
数据表
产品特点
设备架构
- 闪存密度: 32兆, 64兆
- 异步PSRAM密度: 16兆, 32兆
- 顶部,底部或双闪存参数
CON组fi guration
器件电压
- 闪存VCC = 1.8 V ;闪存VCCQ = 1.8 V或3.0 V
- RAM VCC = 1.8 V或3.0 V
包装设备
- 88球( 8 ×10有源矩阵球)
- 面积: 8×10毫米
- 高度:1.9以上1.4mm以下
PSRAM性能
- 70 ns的初始接入, 25 ns的异步页读取时
1.8 V的I / O
- 70 ns的初始接入异步PSRAM在1.8 V
I / O
- 70 ns的初始接入, 25 ns的异步页
读为3.0 V的I / O
SRAM性能
- 在1.8 V或3.0 V 70 ns的初始访问I / O
质量和可靠性
- 扩展级温度: -25°C至+85°C
- 最小100K闪存块擦除周期
- 90纳米ETOX ™ IX闪存技术
- 130纳米ETOX ™第八闪存技术
闪存性能
- 在1.8 V 65 ns的初始访问I / O
- 在3.0 V 70 ns的初始访问I / O
- 在1.8 V或3.0 V 25 ns的异步I / O页
- 14纳秒的同步读取(T
CHQV
)在1.8 V的I / O
- 20纳秒的同步读取(T
CHQV
)在3.0 V的I / O
- 增强的工厂编程:
3.10微秒/字(典型值)
闪存架构
- 同时读 - 写/擦除
- 非对称结构的阻隔
- 4 - KWord的参数块(顶部或
底部)
- 32 KWord的主区块
- 4 - Mbit的分区大小
- 128位一次性可编程
( OTP )保护寄存器
- 零延迟块锁定
- 绝对的写保护,块
锁定使用F- VPP和F -WP #
FLASH软件
- 恒忆™闪存数据集成
( FDI)和通用闪存接口
( CFI )
订单号: 251407-13
2007年11月