E2G0142-18-11
半导体¡
MD51V65805
半导体¡
这个版本： 1998年3月
MD51V65805
8,388,608-Word
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8位动态RAM ：与EDO快页模式类型
描述
该MD51V65805是8388608字
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8位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MD51V65805实现高集成，高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层
金属的CMOS工艺。该MD51V65805是一个32引脚塑料SOJ或32引脚塑料TSOP可用。
特点
• 8,388,608字
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8位配置
• 3.3 V单电源供电，
±0.3
V宽容
=输入
： LVTTL兼容，低输入电容
•输出： LVTTL兼容，三态
•刷新：
RAS-只
刷新
： 4096次/ 64毫秒
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏
： 4096次/ 64毫秒
•快速页面模式， EDO ，读 - 修改 - 写功能
•
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
•封装选项：
32引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ32-P-400-1.27)
（产品： MD51V65805 - xxJA ）
32引脚400密耳的塑料TSOP
（ TSOPII32 -P - 400-1.27 -K ） （产品： MD51V65805 - xxTA ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MD51V65805-50
MD51V65805-60
访问时间（最大值）。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
50纳秒25纳秒13纳秒13纳秒
60纳秒30纳秒15纳秒15纳秒
周期
功耗
（分）
操作（最大）待机（最大）
84纳秒
104纳秒
504毫瓦
432毫瓦
1.8毫瓦
1/15
OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
