E2G1059-39-21
半导体¡
MSM5718C50/MD5764802
半导体¡
18MB （ 2M
¥
9 ） & 64兆（ 8M
¥
8 ）并发RDRAM
这个版本： 1999年2月
MSM5718C50/MD5764802
上一版本： 1998年11月
描述
该六十四分之一十八兆位并行的Rambus DRAM的™ （ RDRAM® ）是非常高速
由8位或9位组织为2M或8M字CMOS DRAM的。它们能够绽放无限的
数据的长度，每一个字节1.67纳秒（每8个字节13.3纳秒） 。采用RAMBUS信号水平（ RSL ）
技术允许同时使用传统的系统和电路板设计的600MHz的传输速率
方法。低有效延迟，通过操作两个或四个2KB读出放大器实现
作为高速缓存，并且利用随机接入方式（页面模式），以促进较大块
接送。并发（同时）银行业务允许使用高效的带宽
交错的交易。
RDRAMs适用于范围广泛的用途通用的高性能存储器装置
的应用，包括个人电脑和消费主存储器，图形，视频，和其他任何
在需要高性能，低成本的应用。
特点
•兼容基地RDRAMs
• 600 MB / s的峰值传输每RDRAM速率
• RAMBUS信号级（ RSL ）接口
•同步，并发协议面向块的交错（重叠）转让
• 480 MB / s的有效带宽从一个RDRAM随机32字节传输
• 13活动的信号所需要的只是32总销控制器接口（包括电源）
= 3.3 V操作
•附加/多Rambus的每个声道提供了一个额外的600 MB / s的带宽
•两个或四个2K字节的读出放大器可以作为高速缓存用于低延迟的访问操作
•随机存取模式可以在全带宽的突发顺序页面内
•图形功能包括写每比特和掩码每比特业务
•可在水平表面贴装塑料封装（ SHP32 -P - 1125-0.65 -K ）
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OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
