s
MG113P/114P/115P/73P/74P/75P
s
––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
直流特性（V
DD
核心= 2.25〜 2.75 V ，V
DD
I / O = 3.0〜 3.6 V ，V
SS
= 0 V ，T
j
= -40 °C至+ 125°C ）
额定值
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
与TTL电平的施密特
触发器输入缓冲器
阈值电压
高电平输出电压（输出缓冲）
符号
V
IH
V
IL
V
t+
V
t-
∆V
t
V
OH
V
t+
- VT-
I
OH
= -100 μA ，V
DD
=V
DD
I / O
I
OH
= -1，-2 ，-4， -6，-8 ，-12， -24毫安
低电平输出电压（输出缓冲）
V
OL
I
OL
= 100
µA
I
OL
= 1，2， 4，6， 8，12， 24毫安
高层次的输入电流（输入缓冲器）
I
IH
V
IH
= V
DD
V
IH
= V
DD
（ 50 kΩ的上拉下来）
低电平输入电流（正常输入缓冲器）
I
IL
V
IL
= V
SS
V
IL
= V
SS
（ 50 kΩ的上拉）
V
IL
= V
SS
（ 3 - kΩ的上拉）
三态输出漏电流
（普通输入缓冲器）
I
OZH
V
OH
= V
DD
V
OH
= V
DD
（ 50 kΩ的上拉下来）
I
OZL
V
OL
= V
SS
V
OL
= V
SS
（ 50 kΩ的上拉）
V
OL
= V
SS
（ 3 - kΩ的上拉）
待机电流
[2]
条件
TTL输入（正常） ，V
DD
=V
DD
I / O
TTL输入（正常）
TTL输入
分钟。
2.0
-0.3
–
0.7
0.4
V
DD
- 0.2
2.35
–
–
–
10
-50
-200
-3.3
-50
10
-50
-200
-3.3
典型值。
–
–
1.5
1.0
0.5
–
–
–
–
–
66
–
[1]
马克斯。
V
DD
+ 0.3
0.8
2.0
–
–
–
–
0.2
0.45
50
200
50
-10
-0.3
50
200
50
-10
-0.3
单位
V
µA
-66
-1.1
–
66
–
-66
-1.1
相关的设计
mA
µA
mA
µA
I
DDQ
输出开路，V
IH
= V
DD
, V
IL
= V
SS
1.典型的情况是V
DD
I / O = 2.5 V ，V
DD
核心= 2.5 V和T
j
= 25 ℃下进行的典型过程。
2. RAM / ROM应该在省电模式。
8
OKI半导体
OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
