E2G0009-17-41
半导体¡
MSM511000C/CL
半导体¡
这个版本: 1998年1月
MSM511000C/CL
上一版本: 1997年5月
1,048,576-Word
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1位动态RAM :快速页面模式类型
描述
该MSM511000C / CL是1,048,576字
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1位动态RAM制造的冲电气的硅栅
CMOS技术。该MSM511000C / CL实现高集成,高速运行,并
低功率消耗,因为冲制造的设备中的四层多晶硅/
单层金属CMOS工艺。该MSM511000C / CL可在26 /20- pin塑料SOJ或
20引脚塑料拉链。该MSM511000CL (低功率版)是专为小写
电源应用。
特点
· 1,048,576字
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1位配置
• 5 V单电源供电,
±10%
公差
=输入
: TTL兼容,低输入电容
•输出: TTL兼容,三态
•刷新: 512次/ 8毫秒, 512次/ 64毫秒( L-版)
•快速页模式下,读 - 修改 - 写功能
•
CAS
前
RAS
刷新,刷新隐藏,
RAS-只
刷新功能
•封装选项:
二十零分之二十六引脚300密耳的塑料SOJ ( SOJ26 / 20 -P - 300-1.27 ) (产品: MSM511000C / CL- xxJS )
20引脚400密耳的塑料ZIP
(ZIP20-P-400-1.27)
(产品: MSM511000C / CL- xxZS )
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM511000C/CL-45
MSM511000C/CL-50
MSM511000C/CL-60
MSM511000C/CL-70
访问时间(最大值)。
t
RAC
45纳秒
50纳秒
60纳秒
70纳秒
t
AA
24纳秒
26纳秒
30纳秒
35纳秒
t
CAC
14纳秒
14纳秒
15纳秒
20纳秒
周期
功耗
(分)
操作(最大)待机(最大)
90纳秒
100纳秒
120纳秒
130纳秒
468毫瓦
440毫瓦
385毫瓦
330毫瓦
5.5毫瓦/
1.1毫瓦( L-版)
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