半导体¡
交流特性（ 1/2）
MSM511000C/CL
(V
CC
= 5伏±10 ％以下，Ta = 0℃至70℃ ）注1 ，2，3
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
快速页模式周期时间
快速页面模式读取 - 修改 - 写
周期
访问时间从
RAS
访问时间从
CAS
从列地址访问时间
访问时间从
CAS
预充电
输出低阻抗时间
CAS
转换时间
刷新周期
刷新周期（L -版本）
RAS
预充电时间
RAS
脉冲宽度
RAS
脉冲宽度（快速页面模式）
RAS
保持时间
CAS
预充电时间（快速页面模式）
CAS
脉冲宽度
CAS
保持时间
CAS
to
RAS
预充电时间
RAS
从保持时间
CAS
预充电
RAS
to
CAS
延迟时间
RAS
到列地址的延迟时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址保持时间从
RAS
列地址为
RAS
交货时间
MSM511000 MSM511000 MSM511000 MSM511000
C/CL-50
C/CL-60
C/CL-70
单位注
符号
C/CL-45
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
t
RC
t
RWC
t
PC
t
PRWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
注册会计师
t
CLZ
t
T
t
REF
t
REF
t
RP
t
RAS
t
RASP
t
RSH
t
CP
t
CAS
t
CSH
t
CRP
t
RHCP
t
RCD
t
拉德
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
拉尔
90
110
34
54
—
—
—
—
0
0
3
—
—
35
—
—
—
—
45
14
24
28
—
14
50
8
64
—
100
120
36
56
—
—
—
—
0
0
3
—
—
40
—
—
—
—
50
14
26
30
—
14
50
8
64
—
120
140
40
60
—
—
—
—
0
0
3
—
—
50
—
—
—
—
60
15
30
35
—
15
50
8
64
—
130
155
45
70
—
—
—
—
0
0
3
—
—
50
—
—
—
—
70
20
35
40
—
20
50
8
64
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ns
4, 5, 6
4, 5
4, 6
4
4
7
3
CAS
到数据输出缓冲器关断延迟时间t
关闭
45万50万60万70万纳秒
45 100000 50 100000 60 100000 70 100000纳秒
14
10
45
5
28
17
12
0
7
0
12
35
24
—
—
—
—
—
31
21
—
—
—
—
—
—
14
10
50
5
30
18
13
0
8
0
13
40
26
—
—
—
—
—
36
24
—
—
—
—
—
—
15
10
60
5
35
20
15
0
10
0
15
50
30
—
—
—
—
—
45
30
—
—
—
—
—
—
20
10
70
5
40
20
15
0
10
0
15
55
35
—
—
—
—
—
50
35
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
6
14万14万15万20万NS
6/15
OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
