半导体¡
交流特性( 2/2 )
MSM511000C/CL
(V
CC
= 5伏±10 %以下,Ta = 0℃至70℃ )注1 ,2,3
参数
读命令设置时间
读命令保持时间
写命令设置时间
写命令保持时间
写命令保持时间从
RAS
WRITE命令的脉冲宽度
写命令
RAS
交货时间
写命令
CAS
交货时间
数据中设置时间
数据保持时间
数据在从保持时间
RAS
CAS
to
WE
延迟时间
列地址为
WE
延迟时间
RAS
to
WE
延迟时间
CAS
预充电
WE
延迟时间
MSM511000 MSM511000 MSM511000 MSM511000
C/CL-50
C/CL-60
C/CL-70
单位注
符号
C/CL-45
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
t
RCS
t
RCH
t
WCS
t
WCH
t
WCR
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
DHR
t
CWD
t
AWD
t
RWD
t
CPWD
0
0
0
0
10
35
10
14
14
0
12
35
14
24
45
33
0
10
25
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0
0
0
0
10
40
10
14
14
0
13
40
14
26
50
35
0
10
25
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0
0
0
0
10
50
10
15
15
0
15
50
15
30
60
40
0
10
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0
0
0
0
15
55
15
20
20
0
15
55
20
35
70
45
0
10
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
9
9
9
9
10
10
8
8
9
读命令保持时间参考
RAS
t
RRH
CAS
从积极的延迟时间
RAS
预充电吨
RPC
RAS
to
CAS
建立时间( CAS前
RAS )
t
企业社会责任
RAS
to
CAS
之前保持时间( CAS
RAS )
t
CHR
7/15