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MSM5116400D-50SJ 参数 Datasheet PDF下载

MSM5116400D-50SJ图片预览
型号: MSM5116400D-50SJ
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内容描述: 4,194,304字×4位动态RAM :快速页面模式类型 [4,194,304-Word x 4-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 162 K
品牌: OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
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半导体
MSM5116400D
4,194,304-Word
´
4位动态RAM :快速页面模式类型
这个版本: Apr.1999
描述
该MSM5116400D是4,194,304字
´
4位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM5116400D实现高集成,高速运行和低功耗
因为冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层金属CMOS工艺。该
MSM5116400D是26 / 24-引脚塑料SOJ提供26 / 24-引脚塑料TSOP 。
特点
·
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4,194,304-word
´
4位配置
单5V电源供电,
±10%
公差
输入
产量
刷新
: TTL兼容,低输入电容
: TTL兼容,三态
: 4096次/ 64毫秒
快页模式下,读 - 修改 - 写功能
·
·
·
CAS RAS刷新之前,隐藏刷新, RAS只刷新功能
多比特测试模式能力
封装选项:
24分之26 -PIN 300MIL塑料SOJ
24分之26引脚塑料300MIL TSOP
(SOJ26/24-P-300-1.27)
(TSOPII26/24-P-300-1.27-K)
(产品: MSM5116400D - xxSJ )
(产品: MSM5116400D - xxTS -K )
XX :表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM5116400D-50
MSM5116400D-60
MSM5116400D-70
访问时间(最大值)。
t
RAC
50ns
60ns
70ns
t
AA
25ns
30ns
35ns
t
CAC
13ns
15ns
20ns
t
OEA
13ns
15ns
20ns
周期
(分)
90ns
110ns
130ns
功耗
操作(最大)
413mW
385mW
358mW
5.5mW
待机(最大)
1/14