半导体
MSM5116400D
4,194,304-Word
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4位动态RAM :快速页面模式类型
这个版本: Apr.1999
描述
该MSM5116400D是4,194,304字
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4位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM5116400D实现高集成,高速运行和低功耗
因为冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层金属CMOS工艺。该
MSM5116400D是26 / 24-引脚塑料SOJ提供26 / 24-引脚塑料TSOP 。
特点
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4,194,304-word
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4位配置
单5V电源供电,
±10%
公差
输入
产量
刷新
: TTL兼容,低输入电容
: TTL兼容,三态
: 4096次/ 64毫秒
快页模式下,读 - 修改 - 写功能
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CAS RAS刷新之前,隐藏刷新, RAS只刷新功能
多比特测试模式能力
封装选项:
24分之26 -PIN 300MIL塑料SOJ
24分之26引脚塑料300MIL TSOP
(SOJ26/24-P-300-1.27)
(TSOPII26/24-P-300-1.27-K)
(产品: MSM5116400D - xxSJ )
(产品: MSM5116400D - xxTS -K )
XX :表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM5116400D-50
MSM5116400D-60
MSM5116400D-70
访问时间(最大值)。
t
RAC
50ns
60ns
70ns
t
AA
25ns
30ns
35ns
t
CAC
13ns
15ns
20ns
t
OEA
13ns
15ns
20ns
周期
(分)
90ns
110ns
130ns
功耗
操作(最大)
413mW
385mW
358mW
5.5mW
待机(最大)
1/14