E2G0014-17-41
半导体¡
MSM511664C/CL
半导体¡
这个版本： 1998年1月
MSM511664C/CL
上一版本： 1997年5月
65,536-Word
¥
16位动态RAM ：快速页面模式类型（字节写入）
描述
该MSM511664C / CL是65536字
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16位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM511664C / CL实现高集成，高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/单层
金属的CMOS工艺。该MSM511664C / CL是一个40引脚塑料SOJ或四十〇分之四十四引脚塑料可
TSOP 。该MSM511664CL （低功率版）是专为低功耗应用。
特点
• 65536字
¥
16位配置
• 5 V单电源供电，
±10%
公差
=输入
： TTL兼容，低输入电容
•输出： TTL兼容，三态
•刷新： 256次/ 4毫秒， 256次/ 32毫秒（ L-版）
•字节写操作和快速页面模式下，读 - 修改 - 写功能
•
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
•封装选项：
40引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ40-P-400-1.27)
（产品： MSM511664C / CL- xxJS ）
40分之44引脚400密耳的塑料TSOP
（ TSOPII44 / 40 -P - 400-0.80 -K ） （产品： MSM511664C / CL- xxTS -K ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM511664C/CL-60
MSM511664C/CL-70
MSM511664C/CL-80
访问时间（最大值）。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
60纳秒30纳秒20纳秒20纳秒
70纳秒40纳秒25纳秒25纳秒
80纳秒45纳秒30纳秒30纳秒
周期
功耗
（分）
操作（最大）待机（最大）
110纳秒
120纳秒
135纳秒
550毫瓦
495毫瓦
440毫瓦
5.5毫瓦/
1.1毫瓦（ L-版）
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OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
