E2L0012-17-Y1
半导体¡
半导体¡
MSM514252A
262,144-Word
¥
4位多端口DRAM
这个版本: 1998年1月
MSM514252A
上一版本: 1996年12月
描述
该MSM514252A是1兆位的CMOS多端口DRAM由4位组成的262,144字的
动态RAM ,和一个512字由4位的静态串行存取存储器, SAM端口。该端口RAM
和SAM端口独立和异步操作。
该MSM514252A支持三种类型的操作:随机存取和从RAM端口,
高速串行访问和从SAM端口和数据的任何之间双向传送
在RAM端口选定的行和SAM端口。该端口RAM和SAM端口可以访问
独立地,除了当数据正被在它们之间传送内部。
特点
•单电源5V电源
±10%
用内置的V
BB
发电机
•所有输入和输出: TTL兼容
•多端口企业
双口RAM : 256K字
¥
4位
SAM端口: 512字
¥
4位
•端口RAM
快页模式下,读 - 修改 - 写
CAS
前
RAS
刷新,刷新隐藏
RAS
只有刷新,标准写每比特
• SAM端口
高速串行
读/写功能
完全静态寄存器
512抽头位置
• RAM -SAM双向,读/写/伪写,读实时传输
•封装选项:
28引脚400密耳的塑料ZIP
(ZIP28-P-400-1.27)
(产品: MSM514252A - xxZS )
28引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ28-P-400-1.27)
(产品: MSM514252A - xxJS )
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM514252A-70
MSM514252A-80
MSM514252A-10
存取时间
内存
70纳秒
80纳秒
100纳秒
SAM
25纳秒
25纳秒
25纳秒
周期
内存
140纳秒
150纳秒
180纳秒
SAM
30纳秒
30纳秒
30纳秒
功耗
操作
120毫安
110毫安
百毫安
待机
8毫安
8毫安
8毫安
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