E2G0010-17-41
半导体¡
MSM514256C/CL
半导体¡
这个版本： 1998年1月
MSM514256C/CL
上一版本： 1997年5月
262,144-Word
¥
4位动态RAM ：快速页面模式类型
描述
该MSM514256C / CL是262,144字
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4位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM514256C / CL实现高集成，高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/单层
金属的CMOS工艺。该MSM514256C / CL是一个20引脚塑料DIP 26 /20- pin塑料
SOJ ，或20引脚塑料拉链。该MSM514256CL （低功率版）是专为
低功耗应用。
特点
• 262,144字
¥
4位配置
• 5 V单电源供电，
±10%
公差
=输入
： TTL兼容，低输入电容
•输出： TTL兼容，三态
•刷新： 512次/ 8毫秒， 512次/ 64毫秒（ L-版）
•快速页模式下，读 - 修改 - 写功能
•
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
•封装选项：
20引脚300密耳的塑料DIP
（ DIP20 -P - 300-2.54 - W1 ） （产品： MSM514256C / CL- xxRS ）
二十零分之二十六引脚300密耳的塑料SOJ （ SOJ26 / 20 -P - 300-1.27 ） （产品： MSM514256C / CL- xxJS ）
20引脚400密耳的塑料ZIP
(ZIP20-P-400-1.27)
（产品： MSM514256C / CL- xxZS ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM514256C/CL-45
MSM514256C/CL-50
MSM514256C/CL-60
MSM514256C/CL-70
访问时间（最大值）。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
45纳秒24纳秒14纳秒14纳秒
50纳秒26纳秒14纳秒14纳秒
60纳秒30纳秒15纳秒15纳秒
70纳秒35纳秒20纳秒20纳秒
周期
功耗
（分）
操作（最大）待机（最大）
90纳秒
100纳秒
120纳秒
130纳秒
468毫瓦
446毫瓦
385毫瓦
330毫瓦
5.5毫瓦/
1.1毫瓦（ L-版）
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