PEDD514260ESL-01
这个版本： 2001年1月
半导体
MSM514260E/ESL
262,144字×16位动态RAM ：快速页面模式类型
初步
描述
该MSM514260E / ESL是262,144字
×
16位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM514260E ESL /实现高集成，高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层金属CMOS
流程。该MSM514260E / ESL是一个40引脚塑料SOJ可用，四十〇分之四十四引脚塑料TSOP 。该
MSM514260ESL （自刷新版）是专为低功耗应用。
特点
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262,144-word
×
16位配置
单5V电源供电，
±10%
公差
输入
产量
刷新
： TTL兼容，低输入电容
： TTL兼容，三态
： 512次/ 8毫秒，
512次/ 128毫秒（ SL版本）
快页模式下，读 - 修改 - 写功能
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CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
CAS
前
RAS
自刷新功能（ SL版本）
封装选项：
40引脚400mil塑料SOJ
40分之44引脚400mil TSOP塑料
(SOJ40-P-400-1.27)
(TSOPII44/40-P-400-0.80-K)
（产品： MSM514260E / ESL- xxJS ）
（产品： MSM514260E / ESL - xxTS -K ）
XX ：表示速度等级。
产品系列
家庭
访问时间（最大值）。
t
RAC
60ns
70ns
t
AA
30ns
35ns
t
CAC
15ns
20ns
t
OEA
15ns
20ns
周期
（分）
110ns
130ns
功耗
操作（最大）
633mW
578mW
待机（最大）
5.5mW/
1.1MW （ SL版）
MSM514260E/ESL
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OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
