E2L0013-17-Y1
半导体¡
半导体¡
MSM514262
262,144-Word
¥
4位多端口DRAM
这个版本： 1998年1月
MSM514262
上一版本： 1996年12月
描述
该MSM514262是1兆位的CMOS多端口DRAM由4位组成的262,144字的
动态RAM和一个512字由4位SAM 。它的RAM和SAM独立运作，
异步。
该MSM514262支持三种类型的操作：随机存取内存接口，高速
在任何选定的行之间的串行访问SAM端口和数据的双向传输
双口RAM和SAM端口。除了常规的多端口DRAM的操作
模式中， MSM514262功能块写入和闪存写入功能的RAM端口和
在SAM端口上的分割数据传输能力。 SAM端口不需要刷新操作
因为它采用静态CMOS触发器。
特点
•单电源供电： 5 V
±10%
•完全兼容TTL
•多端口企业
RAM ： 256K字
¥
4位
SAM ： 512字
¥
4位
•快速页模式
•每位写
•屏蔽的flash写
•蒙面块写
•
RAS
只刷新
•
CAS
前
RAS
刷新
•隐藏刷新
•串行读/写
• 512抽头位置
•双向数据传输
•分割转让
•蒙面写传输
•刷新： 512次/ 8毫秒
•封装选项：
28引脚400密耳的塑料ZIP （ ZIP28 -P - 400-1.27 ）
28引脚400密耳的塑料SOJ （ SOJ28 -P - 400-1.27 ）
（产品： MSM514262 - xxZS ）
（产品： MSM514262 - xxJS ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM514262-70
MSM514262-80
MSM514262-10
存取时间
内存
70纳秒
80纳秒
100纳秒
SAM
25纳秒
25纳秒
25纳秒
周期
内存
140纳秒
150纳秒
180纳秒
SAM
30纳秒
30纳秒
30纳秒
功耗
操作
120毫安
110毫安
百毫安
待机
8毫安
8毫安
8毫安
1/45
OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
