PEDD514400EL-01
这个版本: 2001年1月
半导体
MSM514400E/EL
1,048,576字×4位动态RAM :快速页面模式类型
初步
描述
该MSM514400E / EL是一种1,048,576字
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4位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM514400E / EL实现高集成,高速运行和低功耗
因为冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层金属CMOS工艺。该
MSM514400E / EL是26 /20- pin塑料SOJ提供26 /20- pin塑料TSOP 。该MSM514400EL (中
低功耗版)是专为低功耗应用。
特点
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1,048,576-word
×
4位配置
单5V电源供电,
±
10%的容差
输入
产量
刷新
: TTL兼容,低输入电容
: TTL兼容,三态
: 1024次/ 16毫秒, 1024次/ 128毫秒( L-版)
快页模式下,读 - 修改 - 写功能
CAS
前
RAS
刷新,刷新隐藏,
RAS-只
刷新功能
多比特测试模式能力
封装选项:
二十零分之二十六引脚塑料300MIL SOJ
二十零分之二十六引脚塑料300MIL TSOP
(SOJ26/20-P-300-1.27)
(TSOPII26/20-P-300-1.27-K)
(产品: MSM514400E / EL- xxSJ )
(产品: MSM514400E / EL- xxTS -K)个
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM514400E/EL-60
MSM514400E/EL-70
访问时间(最大值)。
t
RAC
60ns
70ns
t
AA
30ns
35ns
t
CAC
15ns
20ns
t
OEA
15ns
20ns
功耗
周期
(分)
操作(最大)待机(最大)
110ns
130ns
468mW
413mW
5.5mW/
1.1MW (L-版本)
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