E2G0024-17-42
半导体¡
半导体¡
MSM514800C/CSL
描述
这
MSM514800C/CSL
版本: 1998年1月
上一版本: 1997年5月
524,288-Word
¥
8位动态RAM :快速页面模式类型
该MSM514800C / CSL是524,288字
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8位动态RAM制造的冲电气的硅栅
CMOS技术。该MSM514800C / CSL实现高集成,高速运行,并
低功率消耗,因为冲制造的设备中的四层多晶硅/
单层金属CMOS工艺。该MSM514800C / CSL是一个28引脚塑料SOJ或28-可用
引脚塑料TSOP 。该MSM514800CSL (自刷新版本)是专为低级
电源应用。
特点
· 524,288字
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8位配置
• 5 V单电源供电,
±10%
公差
=输入
: TTL兼容,低输入电容
•输出: TTL兼容,三态
•刷新: 1024次/ 16毫秒, 1024次/ 128毫秒( SL版本)
•快速页模式下,读 - 修改 - 写功能
•
CAS
前
RAS
刷新,刷新隐藏,
RAS-只
刷新功能
•
CAS
前
RAS
自刷新功能( SL版本)
•封装选项:
28引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ28-P-400-1.27)
(产品: MSM514800C / CSL- xxJS )
28引脚400密耳的塑料TSOP
(TSOPII28-P-400-1.27-K)
(产品: MSM514800C / CSL- xxTS -K )
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM514800C/CSL-60
MSM514800C/CSL-70
MSM514800C/CSL-80
访问时间(最大值)。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
60纳秒30纳秒20纳秒20纳秒
70纳秒35纳秒20纳秒20纳秒
80纳秒40纳秒20纳秒20纳秒
功耗
周期
(分)
操作(最大)待机(最大)
110纳秒
130纳秒
150纳秒
660毫瓦
605毫瓦
550毫瓦
5.5毫瓦/
1.1毫瓦( SL版本)
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