FEDD514800ESL-01
这个版本: 2000年12月
1
半导体
MSM514800E/ESL
524,288字×8位动态RAM :快速页面模式类型
描述
该MSM514800E / ESL是524,288字
×
8位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM514800E ESL /实现高集成,高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层金属CMOS
流程。该MSM514800E / ESL是采用28引脚塑料SOJ 。该MSM514800ESL (自刷新和
低功率版)是专为低功耗应用。
特点
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524,288-word
×
8位配置
单5V电源供电,
±10%
公差
输入
产量
刷新
: TTL兼容,低输入电容
: TTL兼容,三态
: 1024次/ 16毫秒, 1024次/ 128毫秒( SL版)
快页模式下,读 - 修改 - 写功能
CAS
前
RAS
刷新,刷新隐藏,
RAS-只
刷新功能
CAS
前
RAS
自刷新功能( SL版本)
封装选项:
28引脚400mil塑料SOJ
(SOJ28-P-400-1.27)
(产品: MSM514800E / ESL- xxJS )
XX :表示速度等级。
产品系列
家庭
访问时间(最大值)。
t
RAC
60ns
70ns
t
AA
30ns
35ns
t
CAC
15ns
20ns
t
OEA
15ns
20ns
周期
(分)
110ns
130ns
功耗
操作(最大)
550mW
495mW
待机(最大)
5.5mW/
1.1MW ( SL版)
MSM514800E/ESL
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