E2G0012-17-41
半导体¡
MSM518128/L
半导体¡
这个版本： 1998年1月
MSM518128/L
上一版本： 1997年5月
131,072-Word
¥
8位动态RAM ：快速页面模式类型
描述
该MSM518128 / L是131,072字
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8位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM518128 / L的实现了高集成，高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/单层
金属的CMOS工艺。该MSM518128 / L可在26 / 24-引脚塑料SOJ 。该MSM518128L
（低功率版）是专为低功耗应用。
特点
• 131,072字
¥
8位配置
• 5 V单电源供电，
±5%
公差
=输入
： TTL兼容，低输入电容
•输出： TTL兼容，三态
•刷新： 512次/ 8毫秒， 512次/ 64毫秒（ L-版）
•快速页模式下，读 - 修改 - 写功能
•
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
??包装：
24分之26引脚300密耳的塑料SOJ （ SOJ26 / 24 -P - 300-1.27 ） （产品： MSM518128 / L- xxJS ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM518128/L-45
MSM518128/L-50
MSM518128/L-60
访问时间（最大值）。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
45纳秒24纳秒13纳秒13纳秒
50纳秒26纳秒14纳秒14纳秒
60纳秒30纳秒15纳秒15纳秒
周期
功耗
（分）
操作（最大）待机（最大）
90纳秒
100纳秒
120纳秒
682.5毫瓦
630毫瓦
525毫瓦
5.25毫瓦/
1.05毫瓦（ L-版）
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OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
