E2G0030-17-41
半导体¡
MSM518205
半导体¡
这个版本： 1998年1月
MSM518205
上一版本： 1997年5月
4,194,304-Word
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2位动态RAM ： EDO与快速页面模式类型
描述
该MSM518205是4,194,304字
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2位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM518205实现高集成，高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层
金属的CMOS工艺。该MSM518205是26 / 24-引脚塑料SOJ或26 / 24-引脚塑料可
TSOP 。
特点
· 4,194,304字
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2位配置
• 5 V单电源供电，
±10%
公差
=输入
： TTL兼容，低输入电容
•输出： TTL兼容，三态
•刷新： 4096次/ 64毫秒
•快速页面模式， EDO ，读 - 修改 - 写功能
•
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
·多位测试模式功能
•封装选项：
24分之26引脚300密耳的塑料SOJ （ SOJ26 / 24 -P - 300-1.27 ） （产品： MSM518205 - xxSJ ）
24分之26引脚300密耳的塑料TSOP （ TSOPII26 / 24 -P - 300-1.27 -K ） （产品： MSM518205 - xxTS -K ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM518205-60
MSM518205-70
MSM518205-80
访问时间（最大值）。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
60纳秒30纳秒15纳秒15纳秒
70纳秒35纳秒20纳秒20纳秒
80纳秒40纳秒20纳秒20纳秒
周期
功耗
（分）
操作（最大）待机（最大）
110纳秒
130纳秒
150纳秒
385毫瓦
358毫瓦
330毫瓦
5.5毫瓦
1/18
OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
