半导体¡
MSM518221
手术
写操作
的写操作是由三个时钟， SWCK ， RSTW和WE控制。写操作
通过循环SWCK ，和写地址指针复位操作之后保持WE高完成
或RSTW 。
每次写操作，开始RSTW之后，必须包含至少80活性的写周期，即
SWCK周期的，而我们高。到的最后的数据传送到DRAM阵列，这在当时
被存储在附连到DRAM阵列中的串行数据寄存器，需要一个RSTW操作
在最后SWCK周期。
写复位： RSTW
SWCK的RSTW后的第一个正跳变为高电平复位写地址计数器
零。 RSTW建立和保持时间是参照SWCK的上升沿。因为写入复位
功能由SWCK上升沿仅控制RSTW的高电平后，我们的状态
和IE忽略在写复位周期。
前RSTW可以高再次为另一复位操作带来的，它必须是低的，至少有两个
SWCK周期。
数据输入：D
IN
0 - 7
写时钟： SWCK
该SWCK锁存输入数据上的芯片时WE为高电平，并且也递增内部写
地址指针。数据在设定时间t
DS
和保持时间t
DH
参照的SWCK的上升沿。
写使能： WE
WE被用于数据的写使能/禁止控制。 WE高电平使能输入端，和WE低电平
禁止输入并保持内部写地址指针。有没有我们禁止时间（低）
和WE启用时间（高）的限制，因为MSM518221是完全静态的操作，只要
作为电源。请注意，我们建立和保持时间是参照SWCK的上升沿。
输入使能： IE浏览器
IE是用于使能/禁止写入到存储器中。 IE高级使得写作。内部写
地址指针总是通过循环SWCK不管IE级的递增。需要注意的是IE浏览器的设置
和保持时间是参照SWCK的上升沿。
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