半导体¡
MSM518222A
读操作
读出操作是由三个时钟， SRCK ， RSTR ，和RE的控制。读操作
通过骑自行车SRCK完成，控股RE读地址指针复位操作后高
或RSTR 。
每个读操作，该操作开始RSTR后，必须含有至少80活性的读周期，即SRCK
周期，同时稀土高。
读出复位： RSTR
SRCK的RSTR后的第一个正跳变高复位读出地址计数器到
零。 RSTR建立和保持时间是参照SRCK的上升沿。因为读出复位
稀土功能完全由SRCK上升沿RSTR的高水平控制后，各州和
OE被忽略在读复位周期。
前RSTR可再高再复位操作带来的，它必须是低电平至少* 2
SRCK周期。
数据输出：D
OUT
0 - 7
读时钟： SRCK
数据被移出的数据的寄存器。它是由SRCK的上升沿时触发RE是高
在读出操作。该SRCK输入递增的内部读地址指针，当RE为
高。
三态输出缓冲器可直接TTL兼容（无需上拉电阻） 。数据
出是相同的极性中的内容的访问时间间隔t后的输出变为有效
AC
那
始于SRCK的上升沿。 *上有MSM518222A无输出有效时间限制。
读使能： RE
RE的功能是将栅极SRCK时钟递增读指针。当RE为高
SRCK的上升沿之前，读出指针递增。当RE为低电平，读出指针
不会递增。 RE设置时间（T
RENS
和T
RDSS
）和RE保持时间（T
RENH的值为
和T
RDSH
）是
参照的是SRCK时钟的上升沿。
输出使能： OE
参考用于使能/禁止输出。 OE高级别使输出。内部读
地址指针总是不管OE水平的循环SRCK递增。需要注意的是OE
建立和保持时间是参照SRCK的上升沿。
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