E2G0122-17-61
半导体¡
MSM51V16400D/DSL
半导体¡
这个版本： 1998年3月
MSM51V16400D/DSL
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4,194,304-Word
¥
4位动态RAM ：快速页面模式类型
描述
该MSM51V16400D / DSL是一种4,194,304字
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4位动态RAM制造的冲电气的硅栅
CMOS技术。该MSM51V16400D / DSL实现高集成，高速运转，
和低功率消耗，因为冲制造的设备中的四层多晶硅/
双层金属CMOS工艺。该MSM51V16400D / DSL可在26 / 24-引脚塑料SOJ
或26 / 24-引脚塑料TSOP 。该MSM51V16400DSL （自刷新版本）是专
对于低功率应用。
特点
· 4,194,304字
¥
4位配置
• 3.3 V单电源供电，
±0.3
V宽容
=输入
： LVTTL兼容，低输入电容
•输出： LVTTL兼容，三态
•刷新： 4096次/ 64毫秒， 4096次/ 128毫秒（ SL版本）
•快速页模式下，读 - 修改 - 写功能
•
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
•
CAS
前
RAS
自刷新功能（ SL版本）
·多位测试模式功能
•封装选项：
24分之26引脚300密耳的塑料SOJ
(SOJ26/24-P-300-1.27)
（产品： MSM51V16400D / DSL- xxSJ ）
24分之26引脚300密耳的塑料TSOP
（ TSOPII26 / 24 -P - 300-1.27 -K ） （产品： MSM51V16400D / DSL- xxTS -K ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
访问时间（最大值）。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
周期
功耗
（分）
操作（最大）待机（最大）
90纳秒
110纳秒
130纳秒
270毫瓦
252毫瓦
234毫瓦
1.8毫瓦/
0.72毫瓦（ SL版本）
MSM51V16400D / DSL- 50 50纳秒25纳秒13纳秒13纳秒
MSM51V16400D / DSL- 60 60纳秒30纳秒15纳秒15纳秒
MSM51V16400D / DSL -70 70纳秒35纳秒20纳秒20纳秒
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