FEDD51V17405F-01
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半导体
MSM51V17405F
描述
这个版本:六月。 2000
以前的版本:
4,194,304-Word
×
4位动态RAM :与EDO快页模式类型
该MSM51V17405F是4,194,304字
×
4位动态RAM制造的冲电气的硅栅
CMOS技术。该MSM51V17405F实现高集成,高速运行,和低
功耗,因为冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层
金属的CMOS工艺。该MSM51V17405F是26 / 24-引脚塑料SOJ或26 / 24-引脚塑料可
TSOP 。
特点
∙
4,194,304-word
×
4位配置
∙
3.3V单电源供电,
±0.3V
公差
∙
输入: LVTTL兼容,低输入电容
∙
输出: LVTTL兼容,三态
∙
刷新: 2048次/ 32ms的
∙
快页模式与EDO ,读 - 修改 - 写功能
∙
CAS
前
RAS
刷新,刷新隐藏,
RAS-只
刷新功能
∙
套餐
24分之26 -PIN 300MIL塑料SOJ
(
SOJ26/24-P-300-1.27
)
(产品: MSM51V17405F - xxSJ )
24分之26引脚塑料300MIL TSOP
(
TSOPII26/24-P-300-0.80-K
)
(产品: MSM51V17405F - xxTS -K )
xx表示速度等级。
产品系列
访问时间(最大值)。
家庭
t
RAC
50ns
60ns
70ns
t
AA
25ns
30ns
35ns
t
CAC
13ns
15ns
20ns
t
OEA
13ns
15ns
20ns
周期
(分)
84ns
104ns
124ns
功耗
操作
( MAX 。 )
360mW
324mW
288mW
待机
( MAX 。 )
1.8mW
MSM51V17405F
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