E2G0131-17-61
半导体¡
MSM51V18160D/DSL
半导体¡
这个版本: 1998年3月
MSM51V18160D/DSL
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1,048,576-Word
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16位动态RAM :快速页面模式类型
描述
该MSM51V18160D / DSL是一种1,048,576字
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16位动态RAM制造的冲电气的硅
栅CMOS技术。该MSM51V18160D / DSL实现高集成,高速运转,
和低功率消耗,因为冲制造的设备中的四层多晶硅/
双层金属CMOS工艺。该MSM51V18160D / DSL可在一个42引脚塑料SOJ或
四十四分之五十〇引脚塑料TSOP 。该MSM51V18160DSL (自刷新版本)是专为
低功耗应用。
特点
· 1,048,576字
¥
16位配置
• 3.3 V单电源供电,
±0.3
V宽容
=输入
: LVTTL兼容,低输入电容
•输出: LVTTL兼容,三态
•刷新: 1024次/ 16毫秒, 1024次/ 128毫秒( SL版本)
•快速页模式下,读 - 修改 - 写功能
•
CAS
前
RAS
刷新,刷新隐藏,
RAS-只
刷新功能
•
CAS
前
RAS
自刷新功能( SL版本)
•封装选项:
42引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ42-P-400-1.27)
(产品: MSM51V18160D / DSL- xxJS )
四十四分之五十〇引脚400密耳的塑料TSOP
( TSOPII50 / 44 -P - 400-0.80 -K ) (产品: MSM51V18160D / DSL- xxTS -K )
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
访问时间(最大值)。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
周期
功耗
(分)
操作(最大)待机(最大)
90纳秒
110纳秒
130纳秒
450毫瓦
414毫瓦
378毫瓦
1.8毫瓦/
0.72毫瓦( SL版本)
MSM51V18160D / DSL- 50 50纳秒25纳秒13纳秒13纳秒
MSM51V18160D / DSL- 60 60纳秒30纳秒15纳秒15纳秒
MSM51V18160D / DSL -70 70纳秒35纳秒20纳秒20纳秒
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