FEDD5117805F-01
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半导体
MSM5117805F
描述
这个版本:十一月。 2000
以前的版本:
2,097,152-Word
×
8位动态RAM :与EDO快页模式类型
该MSM5117805F是2,097,152字
×
8位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM5117805F实现高集成,高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层金属
CMOS工艺。该MSM5117805F是一个28引脚塑料SOJ或28引脚塑料TSOP可用。
特点
∙
2,097,152-word
×
8位配置
∙
单5V电源供电,
±10%
公差
∙
输入: TTL兼容,低输入电容
∙
输出: TTL兼容,三态
∙
刷新: 2048次/ 32ms的
∙
快页模式与EDO ,读 - 修改 - 写功能
∙
CAS
前
RAS
刷新,刷新隐藏,
RAS-只
刷新功能
∙
套餐
(
SOJ28-P-400-1.27
)
28引脚400mil塑料SOJ
(产品: MSM5117805F - xxJS )
(
TSOPII28-P-400-1.27-K
)
28引脚400mil TSOP塑料
(产品: MSM5117805F - xxTS -K )
xx表示速度等级。
产品系列
访问时间(最大值)。
家庭
t
RAC
50ns
60ns
70ns
t
AA
25ns
30ns
35ns
t
CAC
13ns
15ns
20ns
t
OEA
13ns
15ns
20ns
周期
(分)
84ns
104ns
124ns
功耗
操作
( MAX 。 )
550mW
495mW
440mW
待机
( MAX 。 )
5.5mW
MSM5117805F
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