FEDD5116400F-01
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半导体
MSM5116400F
4,194,304-Word
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4位动态RAM ：快速页面模式类型
这个版本： 2001年5月
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描述
该MSM5116400F是4,194,304字
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4位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM5116400F实现高集成，高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层金属
CMOS工艺。该MSM5116400F是26 / 24-引脚塑料SOJ或26 / 24-引脚塑料TSOP可用。
特点
∙
4,194,304-word
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4位配置
∙
单5V电源供电，
±10%
公差
∙
输入： TTL兼容，低输入电容
∙
输出： TTL兼容，三态
∙
刷新： 4096次/ 64ms的
∙
快页模式下，读 - 修改 - 写功能
∙
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
∙
套餐
24分之26 -PIN 300MIL塑料SOJ
(
SOJ26/24-P-300-1.27
)
（产品： MSM5116400F - xxSJ ）
24分之26引脚塑料300MIL TSOP
(
TSOPII26/24-P-300-1.27-K
)
（产品： MSM5116400F - xxTS -K ）
xx表示速度等级。
产品系列
访问时间（最大值）。
家庭
t
RAC
50ns
60ns
70ns
t
AA
25ns
30ns
35ns
t
CAC
13ns
15ns
20ns
t
OEA
13ns
15ns
20ns
周期
（分）
90ns
110ns
130ns
功耗
操作
（ MAX 。 ）
413mW
385mW
358mW
待机
（ MAX 。 ）
5.5mW
MSM5116400F
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OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
