E2L0021-17-Y1
半导体¡
MSM5416273
半导体¡
262,144-Word
¥
16位多端口DRAM
这个版本： 1998年1月
MSM5416273
上一版本： 1996年12月
描述
该MSM5416273是4兆位的CMOS多端口DRAM由16位组成的262,144字的
动态RAM ，以及512字×16位的SAM 。它的RAM和SAM独立运作，
异步。
它支持三种类型的操作：随机存取的RAM端口，高速串行访问
SAM端口和数据的任何选择的行之间在RAM端口双向传送和
SAM端口。除了常规的多端口DRAM的操作模式中， MSM5416273
功能块写入，闪存写入功能，扩展页模式内存端口，一个分裂的数据
传送能力，并在SAM端口上的可编程停止。 SAM端口无需刷新
操作，因为它采用静态CMOS触发器。
特点
•单电源供电： 5 V
±10%
•
RAS
只刷新
•完全兼容TTL
•
CAS
前
RAS
刷新
•多端口企业
•隐藏刷新
RAM ： 256K字
¥
16位
•串行读/写
SAM ： 512字
¥
16位
• 512抽头位置
•扩展页模式
•可编程停止
•每位写
•双向数据传输
•每比特持续写入
•分割转让
•字节的读/写
•蒙面写传输
•屏蔽的flash写
•刷新： 512次/ 8毫秒
•蒙面块写（ 8列）
??包装：
64引脚525密耳的塑料SSOP （ SSOP64 -P - 525-0.80 -K ） （产品： MSM5416273 - xxGS -K ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM5416273-50
MSM5416273-60
MSM5416273-70
存取时间
内存
50纳秒
60纳秒
70纳秒
SAM
17纳秒
18纳秒
20纳秒
周期
内存
110纳秒
120纳秒
140纳秒
SAM
20纳秒
22纳秒
22纳秒
功耗
操作
180毫安
170毫安
160毫安
待机
8毫安
8毫安
8毫安
1/40
OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
