E2L0043-17-Y1
半导体¡
MSM548128BL
半导体¡
131,072-Word
¥
8位高速PSRAM
这个版本： 1998年1月
MSM548128BL
上一版本： 1996年12月
描述
该MSM548128BL是1兆位，高速，低功耗的CMOS伪静态RAM举办
作为131,072字
¥
8-bit.
该MSM548128BL采用硅栅N阱CMOS工艺制造。这个过程中，耦接
使用单晶体管存储器的存储单元，允许最大的电路密度，最小的芯片
尺寸和高的速度。
MSM548128BL具有自刷新模式时，除了地址刷新模式和自动刷新
模式。在自刷新模式中，内部刷新定时器和地址计数器刷新动态
自动记忆细胞。该系列实现了低功耗的待机使用时，
模式与自刷新。
该MSM548128BL还设有一个静态RAM一样写入功能将数据写入到
在上升沿存储单元
WE 。
该MSM548128BL的引脚与CMOS静态RAM和256K伪静态RAM兼容。
特点
•大容量
•快速存取时间
•低功耗
•刷新免费
•引脚兼容
•逻辑兼容
•单电源供电
•刷新
•兼容包
•封装选项：
32引脚600密耳的塑料DIP
32引脚525密耳的塑料SOP
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1兆位（ 131,072字
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8比特）
70 ns（最大值） 。
200
µA
最大。 （待机与自刷新）
自刷新
SRAM ， PSRAM 256K
SRAM
WE
脚，没有地址复用
5 V
±10%
512周期/ 8毫秒自动刷新地址
SRAM标准套餐
(DIP32-P-600-2.54)
（产品： MSM548128BL - xxRS ）
（ SOP32 -P- 525-1.27 -K）个（产品： MSM548128BL - xxGS -K）个
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM548128BL-70RS
MSM548128BL-80RS
MSM548128BL-70GS-K
MSM548128BL-80GS-K
访问时间（最大值）。
70纳秒
80纳秒
70纳秒
80纳秒
包
600万32针
塑料DIP
525万32针
塑料SOP
1/12
OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
