OKI半导体
MSM54V12222B
262,214-Word
×
12位字段存储
FEDS54V12222B-01
发布日期： 11月20日， 2002年
概述
在OKI MSM54V12222B是一款高性能的3兆， 256K
×
12位，场存储器。它特别设计的
为高速串行访问的应用，如高清晰度电视，现有的NTSC电视，录像机，数字电影和
多媒体系统。 MSM54V12222B是FRAM在一般商品电视机和录像机宽或低端用途
独家。 MSM54V12222B并非设计用于医疗系统的其他用途或高端的使用，专业
图形系统需要长期的图象存储，数据存储系统和其他。两个以上的
MSM54V12222Bs可以直接被级联，而不MSM54V12222Bs之间的任何延迟的设备。 （层叠
的MSM54V12222B提供了更大的存储深度或更长的延迟） 。
每个12位平面的具有单独的序列写入和读出端口。这些采用独立控制时钟
支持异步读取和写入操作。此外，还支持不同的时钟速率，允许备用数据
与写之间的速度读取数据流。
该MSM54V12222B提供高速FIFO ，先入先出，不需要外接耳目一新：
MSM54V12222B自动刷新的DRAM存储单元，所以它看起来完全静态的用户。
此外，全静态类型的存储单元和解码器的串行访问启用刷新免费串行访问
操作时，使串行读和/或写控制时钟均可使用，只要停止高电平或低电平的持续时间的任何作为
电源接通。内存访问和刷新操作的内部冲突是由专门的仲裁阻止
逻辑。
该MSM54V12222B的功能是简单的，并且类似的数字延迟器的延迟的比特长度是很容易
通过复位时序设定。写入和读出，由下式确定之间的延迟长度的读延迟时钟数
外部控制的写入和读出复位时序。
附加的SRAM串行寄存器，或为256的初始接入时行缓冲器
×
12位实现高速
刚过写或读复位时序第位访问无时钟延迟。
此外， MSM54V12222B有写屏蔽功能或输入使能功能（ IE ） ，并读取数据跳绳
功能或输出使能功能（ OE ） 。写之间的差异使能（WE ）和输入使能（IE） ，并
读与使能（ RE）和输出使能（ OE ）是我们和RE可以停止串行读/写地址
增量，但IE和OE不能停止的增加，当读/写时钟不断施加到
MSM54V12222B 。输入使能（IE）的功能允许用户写入到存储器中的所选择的位置
只是，留下不变的存储器内容的其余部分。这便于数据处理，以在显示“图画
图片“在电视屏幕上。
该MSM54V12222B是在操作和功能，以冲电气1兆位场存储器MSM51V4222C和类似
2 - Mbit的场存储器MSM51V8222A 。三MSM51V4222Cs或者一个MSM51V4222C加一
MSM51V8222A可以简单地由一个MSM54V12222B代替。
1/17
OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
