E2L0010-17-Y1
半导体¡
MSM54C864
半导体¡
65,536-Word
¥
8位的多端口DRAM的
这个版本： 1998年1月
MSM54C864
上一版本： 1996年12月
描述
该MSM54C864是达512Kbit CMOS多端口存储器由8位组成的65536字
动态随机存取存储器，RAM端口和一个256字×8位的静态串行存取存储器，
SAM端口。该端口RAM和SAM端口独立异步运行。
该MSM54C864支持三种类型的操作：随机存取和从RAM端口
高速串行访问和从SAM端口和数据的任何之间双向传送
在RAM端口选定的行和SAM端口。该端口RAM和SAM端口可以访问
独立地，除了当数据正被在它们之间传送内部。
特点
•单电源5V电源
±10%
用内置的V
BB
发电机
•所有输入和输出： TTL兼容
•多端口企业
双口RAM ： 64K字
¥
8位
SAM端口：
256字
¥
8位
•端口RAM
快页模式下，读 - 修改 - 写
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏
RAS
只有刷新，标准写每比特
• SAM端口
高速串行
读/写功能
完全静态寄存器
256抽头位置
• RAM -SAM双向，读/写/伪写，读实时传输
•刷新： 256次/ 4毫秒
•封装选项：
40引脚475密耳的塑料ZIP
(ZIP40-P-475-1.27)
（产品： MSM54C864 - xxZS ）
40引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ40-P-400-1.27)
（产品： MSM54C864 - xxJS ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM54C864-70
MSM54C864-80
MSM54C864-10
存取时间
内存
70纳秒
80纳秒
100纳秒
SAM
25纳秒
25纳秒
25纳秒
周期
内存
140纳秒
150纳秒
180纳秒
SAM
30纳秒
30纳秒
30纳秒
功耗
操作
120毫安
110毫安
百毫安
待机
8毫安
8毫安
8毫安
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OKI [ OKI ELECTRONIC COMPONETS ]
