半导体¡
交流特性( 1/2)
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
快速页模式周期时间
访问时间从
RAS
访问时间从
CAS
从列地址访问时间
访问时间从
OE
访问时间从
CAS
预充电
输出缓冲关断延迟时间
OE
到数据输出缓冲器
打开-O FF延迟时间
转换时间
刷新周期
RAS
预充电时间
RAS
脉冲宽度
RAS
脉冲宽度(快速页面模式)
RAS
保持时间
RAS
持有参考时间
OE
CAS
脉冲宽度
CAS
保持时间
CAS
to
RAS
预充电时间
RAS
to
CAS
延迟时间
RAS
到列地址的延迟时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址保持时间从
RAS
列地址为
RAS
交货时间
MSM5416125A
(V
CC
= 5 V
±10%,
TA = 0 ° C至70 ° C)注1 , 2 , 3
MSM5416125A MSM5416125A MSM5416125A MSM5416125A
-40
-45
-50
-60
单位注
符号
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
t
RC
t
RWC
t
PC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
OEA
t
注册会计师
t
关闭
t
OEZ
t
T
t
REF
t
RP
t
RAS
t
RASP
t
RSH
t
ROH
t
CAS
t
CSH
t
CRP
t
RCD
t
拉德
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
拉尔
80
115
28
60
—
—
—
—
—
0
3
3
2
—
30
40
14
8
6
14
40
5
18
13
0
8
0
6
30
22
—
—
—
—
40
14
22
14
27
—
8
8
35
8
—
10,000
—
—
—
10,000
—
—
26
18
—
—
—
—
—
—
90
130
30
60
—
—
—
—
—
0
3
3
2
—
35
45
14
8
6
14
45
5
18
13
0
8
0
6
30
24
—
—
—
—
45
14
24
14
27
—
8
8
35
8
—
10,000
—
—
—
10,000
—
—
31
21
—
—
—
—
—
—
100
145
31
65
—
—
—
—
—
0
3
3
2
—
40
50
14
10
7
14
50
5
20
15
0
10
0
8
35
26
—
—
—
—
50
14
26
14
29
—
8
8
35
8
—
10,000
—
—
—
10,000
—
—
36
24
—
—
—
—
—
—
120
165
33
80
—
—
—
—
—
0
3
3
2
—
50
60
15
10
8
15
60
5
20
15
0
10
0
10
45
30
—
—
—
—
60
15
30
15
34
—
10
10
35
8
—
ns
ns
ns
ns
ns
4, 9, 10
ns
ns
ns
4, 9, 10
ns
ns
ns
ns
ms
ns
5
5
4, 9
纳秒4,10
快速页面模式读取修改写入周期时间
t
PRWC
输出低阻抗时间
CAS
t
CLZ
万NS
—
—
—
—
—
45
30
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
11
11
12
9
10
14
40 100000 45 100000 50 100000 60 100000纳秒
CAS
预充电时间(快页模式)t
CP
万NS
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