半导体¡
模拟接口特性
参数
输出电阻负载
输出电容负载
符号
MSM7583
(V
DD
= 4.5 V至5.5 V ,TA = -25 ° C至+ 70 ° C)
Condtion
I + , I-, Q + , Q-, ENV
I + , I-, Q + , Q-, ENV
I + , I-, Q + , Q-( TXW = 0)的
I + ( CR0 - B5 = 1 )
当没有调制
Q + ( CR0 - B5 = 1 )
当没有调制
ENV ( TXW = 0)的
ENV ( TXW = 1, CR 0 - B 2 = 0时, TXD = 0)的
ENV ( TXW = 1, CR 0 - B 2 = 1, TXD = 0)
分钟。
10
—
1.55
—
—
—
—
—
340
–20
—
—
60
65
—
0.5
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
1.6
1.77
1.67
1.35
1.72
1.63
360
—
±45
±4
—
—
1.0
—
20
5
2.0
2
400
马克斯。
—
20
1.65
—
—
—
—
—
380
+20
—
—
—
—
3.0
V
DD
—
—
—
—
—
单位
kW
pF
V
V
V
V
V
V
mV
PP
mV
mV
%
dB
dB
RMS %
V
PP
kW
pF
V
kW
ms
R
LIQ
C
LIQ
V
DC1
V
DC2
输出DC电压电平
V
DC3
V
DC4
V
DC5
V
DC6
输出交流电压电平
偏置电压差
输出直流电压调节电平范围
输出交流电压调节电平范围
V
AC
V
关闭
DCVL
ACVL
I + , I-, Q + , Q-
( TXW = 0连续输入)
之间的差异
I + , I-, Q +和Q-
—
—
出的带外频谱
调制精度
IF解调器输入电平
IFIN输入阻抗
SG输出电压
SG输出阻抗
SG预热时间
调制器, D / A
转换采样频率
调制器, D / A
转换频率偏移
P600 600 kHz的失谐( * )
P900 900 kHz的失谐( * )
EVM
IFV
RIF
CIF
VSG
RSG
T
SG
—
IFIN输入电平
—
—
—
—
SG'AGND 0.1
mF
(上升到90 %以下的。
的水平。 )
F
SDA
F
CDA
—
—
—
—
1.92
380
—
—
兆赫
千赫
*功率衰减600 kHz或900 kHz的
±96
千赫如在所提及的功率的2倍
频带0〜 96千赫
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