E2O0014-27-X2
半导体¡
MSM81C55-5RS/GS/JS
半导体¡
2048位CMOS静态的I / O端口和定时器RAM
这个版本: 1998年1月
MSM81C55-5RS/GS/JS
上一版本: 1996年8月
概述
该MSM81C55-5有一个2K位静态RAM( 256字节),并行I / O端口和一个计时器。它使用
硅栅CMOS工艺,消耗100微安培,最大待机电流,
而芯片不被选中。 Featureing的400毫微秒的最大访问时间,该MSM81C55-5
可以用在一个MSM80C85AH系统不使用的等待状态。并行I / O组成
2个8位端口和一个6位端口(包括通用) 。
该MSM81C55-5还包含一个14位的可编程计数器/定时器,它可以用于
序波产生或终端计数脉冲。
特点
•与硅栅CMOS技术的高速和低功耗的实现
• 256字×位8位RAM
•单电源供电, 3至6 V
•完全静态操作
•片上的地址锁存器
• 8位可编程I / O端口(端口A和B)
• TTL兼容
• RAM中的数据,在2 V抱特点
• 6位可编程I / O端口(端口C)
• 14位可编程二进制计数器/定时器
- 复用的地址/数据总线
•直接接口MSM80C85AH
• 40引脚塑料DIP ( DIP40 -P - 600-2.54 ) : (产品名称: MSM81C55-5RS )
• 44引脚塑料QFJ ( QFJ44 -P - S650-1.27 ) : (产品名称: MSM81C55-5JS )
• 44引脚塑料QFP ( QFP44 -P - 910-0.80-2K ) : (产品名称: MSM81C55-5GS - 2K )
功能框图
端口A
IO / M
A
AD
0 - 7
CE
ALE
RD
WR
RESET
定时器
C
端口C
6
PC
0 - 5
256
¥
8
STATIC
内存
B
端口B
8
PB
0 - 7
8
PA
0 - 7
计时器
定时器输出
V
CC
(+5 V)
GND ( 0 V )
1/19