BC337 / BC338
BC337 / BC338
NPN
Version 2006-05-30
Power dissipation
Verlustleistung
CBE
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
NPN
625 mW
TO-92
(10D3)
0.18 g
16
Plastic case
Kunststoffgehäuse
18
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
2 x 2.54
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Base current – Basisstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
E-B short
B open
C open
V
CES
V
CEO
V
EBO
P
tot
I
C
I
CM
I
B
T
j
T
S
9
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
BC337
50 V
45 V
5V
625 mW
1
)
800 mA
1A
100 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
BC338
30 V
25 V
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
2
)
V
CE
= 1 V, I
C
= 100 mA
Group -16
Group -25
Group -40
Group -16
Group -25
Group -40
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
V
CEsat
100
160
250
60
100
170
–
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
160
250
400
130
200
320
–
Max.
250
400
630
–
–
–
0.7 V
V
CE
= 1 V, I
C
= 300 mA
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg.
2
)
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle
≤
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
