数据表
3.0安培屏障
肖特基整流器
机械尺寸
JEDEC
D0-201AD
.190
.210
.285
.375
1.00分钟。
描述
.050 TYP 。
特点
n
超低V
F
n
低功耗？高效率
电气特性@ 25
O
C.
最大额定值
峰值重复反向电压... V
RRM
工作峰值反向电压... V
RWM
DC阻断电压... V
DC
RMS反向电压... V
R（ RMS ）
平均正向整流电流... I
F（ AV ）
@ T
A
= 55°C
非重复性峰值正向浪涌电流... I
FSM
@ Rated Load Conditions, �½ Wave, 60 HZ, T
L
= 75°C
正向电压... V
F
@ I
F
= 3.0安培
n
低存储的电荷;岁数
载流子传导
n
符合UL规格94V- 0
IN5820 ， 21 & 22系列
IN5820
20
20
20
14
IN5821
30
30
30
21
IN5822
40
40
40
28
单位
伏
伏
伏
伏
安培
安培
伏
毫安
毫安
pF
°C
............................................. 3.0 ...............................................
............................................. 8 0 ...............................................
.475
.500
.525
DC反向电流... I
R
@额定阻断电压DC
典型结电容... C
J
工作&储存温度范围牛逼...
J,
T
STRG
典型的反向特性
正向电流（ AMPS ）
反向电流（mA ）
T
L
= 25°C
T
L
= 100°C
............................................. 2.0 ...............................................
............................................. 1 0 ...............................................
............................................. 2 5 0 ...............................................
....................................... -65至125 ....... .....................................
正向电流降额曲线
典型结电容
额定峰值电压的百分比
焊接温度（
o
C)
pF
反向电压（V
R
） - 伏
注意事项：
1.测量@ 1 MHz和应用4.0V的反向电压。
2.热阻结到环境， JEDEC的方法。
3.当安装到散热器，从主体。
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1N5820 ， 21 & 22系列
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
