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2N4403 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N4403
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 8 页 / 107 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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2N4403
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压(注1 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 0.1 MADC ,我
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 0.1 MADC ,我
C
= 0)
基地截止电流
(V
CE
= 35 VDC ,V
EB
= 0.4伏)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 35 VDC ,V
EB
= 0.4伏)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 150 MADC ,V
CE
= 2.0伏)(注1 )
(I
C
= 500 MADC ,V
CE
= 2.0伏)(注1 )
集电极 - 发射极饱和电压(注1 )
(I
C
= 150 MADC ,我
B
= 15 MADC )
(I
C
= 500 MADC ,我
B
= 50 MADC )
基射极饱和电压(注1 )
(I
C
= 150 MADC ,我
B
= 15 MADC )
(I
C
= 500 MADC ,我
B
= 50 MADC )
小信号特性
电流增益 - 带宽积(我
C
= 20 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 100兆赫)
集电极 - 基极电容(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
发射极 - 基极电容(V
EB
= 0.5伏,我
C
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输入阻抗(我
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
电压反馈比率(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
小信号电流增益(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
输出导纳(我
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 30伏直流电,V
BE
= + 2.0伏,
I
C
= 150 MADC ,我
B1
= 15 MADC )
(V
CC
= 30伏直流电,我
C
= 150 MADC ,
I
B1
= 15毫安,我
B2
= 15 mA)的
t
d
t
r
t
s
t
f
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
f
T
C
cb
C
eb
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
200
1.5 k
0.1
60
1.0
8.5
30
15 k
8.0
500
100
兆赫
pF
pF
X 10
−4
毫姆欧
h
FE
30
60
100
100
20
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
0.75
0.95
1.3
0.4
0.75
VDC
300
VDC
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
BEV
I
CEX
40
40
5.0
0.1
0.1
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
符号
最大
单位
1.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2.0%.
http://onsemi.com
2