2N7000 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7000
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内容描述：	小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 [Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92]
分类和应用：	晶体晶体管开关
文件页数/大小：	4 页 / 61 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

2N7000

首选设备

小信号MOSFET

200毫安， 60伏

N沟道TO- 92

最大额定值

等级

漏源电压

漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）

栅源电压

- 连续

- 不重复（ TP

≤

µs)

漏电流

- 连续

- 脉冲

总功率耗散@ TC = 25°C

减免上述25℃

工作和存储温度

范围

符号

VDSS

VDGR

VGS

VGSM

IDM

TJ ， TSTG

价值

±20

±40

200

500

350

2.8

-55〜

+150

毫瓦/°C的

°C

单位

VDC

VPK

MADC

http://onsemi.com

200毫安

60伏特

RDS （ ON） = 5

Ω

N沟道

热特性

特征

热阻，结到

环境

铅的最大温度

焊接目的， 1/16“的情况下，从

10秒

符号

θJA

最大

357

300

单位

° C / W

°C

TO–92

CASE 29

样式22

标记图

＆放大器;引脚分配

2N7000

YWW

来源

门

漏

=年

=工作周

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第3页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2000

2000年11月 - 修订版5

出版订单号：

2N7000/D

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