2N7000 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7000
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内容描述：	小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 200毫安60伏 [Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS]
分类和应用：	晶体晶体管开关
文件页数/大小：	4 页 / 58 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

2N7000

首选设备

小信号MOSFET

200毫安， 60伏

N沟道TO- 92

特点

http://onsemi.com

•

无铅包可用*

最大额定值

等级

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

= 1.0毫瓦）

栅源电压

- 连续

- 不重复（T

≤

女士）

漏电流

- 连续

- 脉冲

总功率耗散@ T

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储温度

范围

符号

DSS

DGR

GSM

, T

英镑

价值

200

500

350

2.8

-55到+150

毫瓦/°C的

°C

TO−92

CASE 29

样式22

单位

VDC

VPK

MADC

200毫安

60伏特

DS （ ON）

= 5

N沟道

热特性

特征

热阻，结到环境

铅的最大温度

焊接目的， 1/16“的情况下，从

10秒

符号

qJA

最大

357

300

单位

° C / W

°C

直引线

散装

BENT LEAD

磁带&卷轴

弹药包

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

标记图

和引脚分配

7000

AYWW

来源

漏

门

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2007年

2007年3月 - 修订版6

出版订单号：

2N7000/D

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