BAS16LT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BAS16LT1
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内容描述：	开关二极管 [Switching Diode]
分类和应用：	二极管开关
文件页数/大小：	4 页 / 54 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

BAS16LT1

首选设备

开关二极管

特点

•

无铅包可用

最大额定值

等级

连续反向电压

最大正向电流

峰值正向浪涌电流

符号

FM （浪涌）

价值

200

500

单位

VDC

MADC

阴极

阳极

http://onsemi.com

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

记号

图

A6 M

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局

（注1 ）

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

器件总功耗

氧化铝基板，（注2）

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

结温和存储温度

符号

225

1.8

qJA

300

2.4

qJA

, T

英镑

417

-55到+150

毫瓦/°C的

° C / W

°C

556

毫瓦/°C的

° C / W

最大

单位

SOT−23

CASE 318

风格8

=具体设备守则

=日期代码

= Pb-Free包装

订购信息

设备

BAS16LT1

BAS16LT1G

BAS16LT3

BAS16LT3G

包

SOT−23

（无铅）

SOT−23

（无铅）

航运

†

3000 /磁带&卷轴

10000 /磁带&卷轴

1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

† 。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年1月 - 修订版5

出版订单号：

BAS16LT1/D

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