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BC847A 参数 Datasheet PDF下载

BC847A图片预览
型号: BC847A
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内容描述: 通用晶体管( NPN硅) [General Purpose Transistors(NPN Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管IOT
文件页数/大小: 6 页 / 96 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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BC846ALT1系列
BC846 , BC847和BC848的首选设备
通用
晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
符号
V
首席执行官
65
45
30
V
CBO
80
50
30
V
EBO
BC846
BC847 , BC850
BC848 , BC849
连续集电极电流 -
I
C
6.0
6.0
5.0
100
MADC
VDC
VDC
1
2
无铅包可用
湿度敏感度等级: 1
ESD额定值 - 人体模型: >4000 V
ESD额定值
- 机器型号: >400 V
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BC846
BC847 , BC850
BC848 , BC849
集电极 - 基极电压
BC846
BC847 , BC850
BC848 , BC849
发射极 - 基极电压
价值
单位
VDC
2
辐射源
3
SOT−23
CASE 318
类型6
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
被超过,设备功能操作不暗示,可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
标记图
XXD
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局,
(注1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境(注1 )
器件总功耗
氧化铝基板(注2)
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境(注2 )
结存储
温度范围
符号
P
D
最大
225
单位
mW
xx
D
=具体设备守则
=日期代码
1.8
R
qJA
P
D
556
300
毫瓦/°C的
° C / W
mW
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55〜
+150
毫瓦/°C的
° C / W
°C
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1, FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024 99.5 %的氧化铝。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年6月 - 修订版6
出版订单号:
BC846ALT1/D